반도체 제작시 동적 프로세스 제어

예를 들어 반도체 제작 적용 예들에서 기판 프로세싱에서 동적 프로세스 제어를 위한 방법들 및 시스템이 제공된다. 일부 예시적인 시스템들 및 방법들은 ALD (atomic layer deposition) 프로세스들에서 발전된 모니터링 및 머신 러닝을 위해 제공된다. 일부 예들은 또한 챔버 파라미터 매칭 및 가스 라인 충전 시간들에 대한 동적 프로세스 제어 및 모니터링과 관련된다. Methods and system are provided for dynamic process control in substrate processing, fo...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	JIANG GENGWEI, KUMAR PURUSHOTTAM, HO DANIEL, ATTUR SIDDAPPA, ABEL JOSEPH R, AGARWAL PULKIT, MIAO TENGFEI
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	예를 들어 반도체 제작 적용 예들에서 기판 프로세싱에서 동적 프로세스 제어를 위한 방법들 및 시스템이 제공된다. 일부 예시적인 시스템들 및 방법들은 ALD (atomic layer deposition) 프로세스들에서 발전된 모니터링 및 머신 러닝을 위해 제공된다. 일부 예들은 또한 챔버 파라미터 매칭 및 가스 라인 충전 시간들에 대한 동적 프로세스 제어 및 모니터링과 관련된다. Methods and system are provided for dynamic process control in substrate processing, for example in semiconductor manufacturing applications. Some example systems and methods are provided for advanced monitoring and machine learning in atomic layer deposition (ALD) processes. Some examples also relate to dynamic process control and monitoring for chamber parameter matching and gas line charge times.