POLISHING PAD AND PREPARING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

The present invention relates to a polishing pad which comprises a polishing layer. The polishing pad comprises: a first peak in which a nuclear magnetic resonance (NMR) ^13C spectrum of a processed composition, obtained by putting 1 g of the polishing layer in a KOH water solution of the concentration of 0.3 M and causing a reaction for 48 hours under the temperature of 150℃ in a sealed container, appears at 15-18 ppm; a second peak in which the NMR ^13C spectrum appears at 9-11 ppm; and a third peak in which the NMR ^13C spectrum appears at 138-143 ppm, wherein the area ratio of the third peak compared to the second peak is about 5:1 or about 10:1. The polishing pad displays the properties meeting the peak characteristics described above. Accordingly, the present invention is able to, in polishing a subject, realize a polishing rate of a target range and defect-preventive performance. 연마층을 포함하고, 상기 연마층 1g을 0.3M 농도의 수산화칼륨(KOH) 수용액에 투입하고, 밀폐된 용기 내에서 150℃ 온도 하에 48시간 반응시킨 가공 조성물의 핵자기공명(NMR) 13C 스펙트럼이 15ppm 내지 18ppm에서 나타나는 제1 피크; 9ppm 내지 11ppm에서 나타나는 제2 피크; 및 138ppm 내지 143ppm에서 나타나는 제3 피크를 포함하고, 상기 제3 피크 대 상기 제2 피크의 면적비가 약 5:1 내지 약 10:1인 연마패드를 제공한다. 상기 연마패드는 전술한 피크 특성에 부합하는 물성을 나타내며, 이를 통해 연마 대상의 연마에 있어서 목적 범위의 연마율 및 결함 방지 성능을 구현할 수 있다.