METHOD AND APPARATUS FOR COMPENSATING DEFECTS OF A MASK BLANK
마스크 블랭크(800, 900, 1000)의 적어도 하나의 결함(820, 920, 1020)을 보상하기 위한 방법으로서, 상기 방법은 : (a) 마스크 블랭크(800, 900, 1000)의 적어도 하나의 결함(820, 920, 1020)의 위치에 관한 데이터를 획득하는 단계; (b) 마스크 블랭크(800, 900, 1000) 상에서 생산되어야 하는 패턴 요소(2470)에 대한 설계 데이터를 획득하는 단계; (c) 생산될 패턴 요소(2470)가 제공된 마스크 블랭크(800, 900, 1000)를 사용하여 웨이퍼를 노광시킬 때 영향을...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | 마스크 블랭크(800, 900, 1000)의 적어도 하나의 결함(820, 920, 1020)을 보상하기 위한 방법으로서, 상기 방법은 : (a) 마스크 블랭크(800, 900, 1000)의 적어도 하나의 결함(820, 920, 1020)의 위치에 관한 데이터를 획득하는 단계; (b) 마스크 블랭크(800, 900, 1000) 상에서 생산되어야 하는 패턴 요소(2470)에 대한 설계 데이터를 획득하는 단계; (c) 생산될 패턴 요소(2470)가 제공된 마스크 블랭크(800, 900, 1000)를 사용하여 웨이퍼를 노광시킬 때 영향을 미치지 않는 방식으로, 적어도 하나의 결함(820, 920, 1020)이 생산될 패턴 요소(2470)에 대하여 배열되는지 결정하는 단계; 및 (d) 그렇지 않으면, 생산될 패턴 요소(2470)가 제공된 마스크 블랭크(800, 900, 1000)를 사용하여 웨이퍼를 노광시킬 때 영향을 미치지 않는 방식으로, 마스크 블랭크(800, 900, 1000) 상에서 적어도 하나의 결함(820, 920, 1020)을 변위시키는 단계(2530)를 포함한다.
Method for compensating at least one defect of a mask blank, wherein the method includes the following steps: (a) obtaining data in respect of a position of the at least one defect of the mask blank; (b) obtaining design data for pattern elements which should be produced on the mask blank; (c) determining whether the at least one defect is arranged relative to a pattern element to be produced in such a way that it has substantially no effect when exposing a wafer using the mask blank that is provided with the pattern element to be produced; and (d) otherwise, displacing the at least one defect on the mask blank in such a way that it has substantially no effect when exposing the wafer using the mask blank that is provided with the pattern element to be produced. |
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