기판 및 금속 적층판

유전 정접, 비유전율, 전송 손실 및 열팽창률이 낮고, 기계적 강도가 우수한 기판 및 이것을 사용한 금속 적층 기판의 제공. 테트라플루오로에틸렌계 폴리머와 무기 필러를 포함하는 기판이고, 상기 기판으로부터 잘라내진 두께 127㎛의 시험편에 대하여 120℃, 85% RH에서 72시간의 불포화 프레셔 쿠커 시험을 행한 전후의 10GHz에 있어서의 유전 정접의 변화율이 30% 이하인, 기판. A substrate with a tetrafluoroethylene polymer and an inorganic filler, wherein th...

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Hauptverfasser: ONO MOTOSHI, ARAI KANJI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:유전 정접, 비유전율, 전송 손실 및 열팽창률이 낮고, 기계적 강도가 우수한 기판 및 이것을 사용한 금속 적층 기판의 제공. 테트라플루오로에틸렌계 폴리머와 무기 필러를 포함하는 기판이고, 상기 기판으로부터 잘라내진 두께 127㎛의 시험편에 대하여 120℃, 85% RH에서 72시간의 불포화 프레셔 쿠커 시험을 행한 전후의 10GHz에 있어서의 유전 정접의 변화율이 30% 이하인, 기판. A substrate with a tetrafluoroethylene polymer and an inorganic filler, wherein the proportion of the total volume of the tetrafluoroethylene polymer and the inorganic filler to the total volume of the present substrate is at least 80 vol %, and the substrate has a rate of change in dielectric loss tangent at 10 GHz before and after 72 hours of unsaturated pressure cooker test at 120° C. under 85% RH on a 127-μm thick specimen cut out from the substrate is at most 30%.