층류 제한기

가스 흐름을 제어하기 위한 장치는 반도체 제조를 위한 공정 가스를 전달하기 위한 중요한 구성 요소이다. 가스 흐름을 제어하기 위한 이러한 장치는 프로세스 가스의 알려진 흐름 임피던스를 제공할 수 있는 유량 제한기에 자주 의존한다. 일 실시 형태에서, 유량 제한기가 개시되고, 유량 제한기는 복수의 층으로 구성되고, 하나 이상의 층은 유량 제한기의 제1 단부에 있는 제1 개구로부터 유량 제한기의 제2 단부에 있는 제2 개구까지 연장되는 유로를 내부에 갖는다. Apparatuses for controlling gas flow are im...

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Hauptverfasser: MCINTYRE ZACHARIAH EZEKIEL, WRIGHT TYLER JAMES, PENLEY SEAN JOSEPH
Format: Patent
Sprache:kor
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Zusammenfassung:가스 흐름을 제어하기 위한 장치는 반도체 제조를 위한 공정 가스를 전달하기 위한 중요한 구성 요소이다. 가스 흐름을 제어하기 위한 이러한 장치는 프로세스 가스의 알려진 흐름 임피던스를 제공할 수 있는 유량 제한기에 자주 의존한다. 일 실시 형태에서, 유량 제한기가 개시되고, 유량 제한기는 복수의 층으로 구성되고, 하나 이상의 층은 유량 제한기의 제1 단부에 있는 제1 개구로부터 유량 제한기의 제2 단부에 있는 제2 개구까지 연장되는 유로를 내부에 갖는다. Apparatuses for controlling gas flow are important components for delivering process gases for semiconductor fabrication. These apparatuses for controlling gas flow frequently rely on flow restrictors which can provide a known flow impedance of the process gas. In one embodiment, a flow restrictor is disclosed, the flow restrictor constructed of a plurality of layers, one or more of the layers having a flow passage therein that extends from a first aperture at a first end of the flow restrictor to a second aperture at a second end of the flow restrictor.