Semiconductor memory device
A semiconductor memory device is provided. The semiconductor memory device may include: a bit line extended in a first direction; a channel pattern on the bit line, wherein the channel pattern includes first and second vertical portions facing each other and a horizontal portion connecting the first...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | A semiconductor memory device is provided. The semiconductor memory device may include: a bit line extended in a first direction; a channel pattern on the bit line, wherein the channel pattern includes first and second vertical portions facing each other and a horizontal portion connecting the first and second vertical portions; first and second word lines disposed on the horizontal portion between the first and second vertical portions and extended in a second direction across the bit line; and a gate insulating pattern provided between the first and second word lines and the channel pattern.
반도체 메모리 장치가 제공된다. 반도체 메모리 장치는 제 1 방향으로 연장되는 비트 라인; 상기 비트 라인 상의 채널 패턴으로서, 상기 채널 패턴은 서로 대향하는 제 1 및 제 2 수직부들 및 상기 제 1 및 제 2 수직부들을 연결하는 수평부를 포함하는 것; 상기 제 1 및 제 2 수직부들 사이에서 상기 수평부 상에 배치되며, 상기 비트 라인을 가로질러 제 2 방향으로 연장되는 제 1 및 제 2 워드 라인들; 및 상기 제 1 및 제 2 워드 라인들과 상기 채널 패턴 사이에 제공되는 게이트 절연 패턴을 포함할 수 있다. |
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