SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

One of the technical problems to be achieved by the technical idea of the present invention is to provide a semiconductor device with an improved AC characteristic by minimizing length extension of a gate electrode. According to an embodiment of the present invention, a semiconductor device comprises: a substrate: a plurality of channel layers stacked on the substrate; a gate electrode surrounding the plurality of channel layers; and an embedded source/drain layer, disposed on both sides of the gate electrode, which includes a first region and a second region disposed on the first region and includes a plurality of layers having different compositions from each other. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치는 기판, 상기 기판 상에 적층되는 복수의 채널층들, 상기 복수의 채널층들을 감싸는 게이트 전극, 및 상기 게이트 전극의 양측에 배치되고, 제1 영역 및 상기 제1 영역 상에 배치되고 서로 조성이 다른 복수의 층들을 포함하는 제2 영역을 포함하는 임베디드 소스/드레인층들을 포함한다.