ELECTROSTATIC PROTECTION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME

Disclosed in the present invention are an electrostatic protection circuit and a semiconductor device including the same. The electrostatic protection circuit may include: a first diode including an anode connected to a first terminal and a cathode connected to a second terminal; a second diode including an anode connected to a third terminal and a cathode connected to the first terminal; a resistor connected between the second terminal and a first node; a capacitor connected between the first node and the third terminal; an inverter connected between the first node and a second node and configured to invert a signal of the first node to generate an inverted signal and provide the inverted signal to the second node; a gate-coupled transistor connected between the second terminal and the third terminal and configured to respond to the inverted signal of the second node; a first switch configured to block a first leakage current from flowing from the first terminal to the second terminal through a pull-up driver, in response to the inverted signal of the second node; and a second switch configured to block a second leakage current flowing from the first terminal to the third terminal through a pull-down driver, in response to the signal of the first node. Therefore, the reliability of the semiconductor device including the electrostatic protection circuit can be improved. 본 발명은 정전기 보호 회로, 및 이를 포함하는 반도체 장치를 개시한다. 정전기 보호 회로는 제1 단자에 연결된 애노드 및 제2 단자에 연결된 캐소드를 가진 제1 다이오드, 제3 단자에 연결된 애노드 및 제1 단자에 연결된 캐소드를 가진 제2 다이오드, 제2 단자와 제1 노드 사이에 연결된 저항, 제1 노드와 제3 단자 사이에 연결된 캐패시터, 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되어 제1 노드의 신호를 반전하여 제2 노드로 반전된 신호를 발생하는 인버터, 제2 단자와 제3 단자 사이에 연결되고 제2 노드의 반전된 신호에 응답하는 게이트 결합 트랜지스터, 제2 노드의 반전된 신호에 응답하여 제1 단자로부터 풀업 드라이버를 통하여 제2 단자로의 제1 누설 전류를 차단하는 제1 스위치, 및 제1 노드의 신호에 응답하여 제1 단자로부터 풀다운 드라이버를 통하여 제3 단자로의 제2 누설 전류를 차단하는 제2 스위치를 포함할 수 있다.