SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROGRAM

The present invention provides a technique for suppressing an inflow of gas in a processing chamber into the moving mounting chamber and the inflow of the gas in the moving mounting chamber into the processing chamber in a substrate processing process. The provided technique comprises: a substrate loading unit having a substrate loading surface for loading a substrate; a processing container for accommodating the substrate loading unit and forming a processing chamber for processing the substrate loaded on the substrate loading surface; a gas supply unit for supplying a processing gas to the processing chamber; a first wall unit disposed on the outer peripheral side of the substrate loading unit; a second wall unit disposed on the outer peripheral side of the substrate loading unit further than the first wall unit; an exhaust passage formed between the first wall unit and the second wall unit for discharging gas in the processing chamber; and a shield plate disposed below the substrate loading unit and configured to extend to at least the lower side of the lower end of the second wall unit. 본 발명은, 기판 처리 공정에서의 처리실 내의 가스의 이동 탑재실 내에의 유입, 이동 탑재실 내의 가스의 처리실 내에의 유입을 억제하는 기술을 제공한다. 기판을 적재하는 기판 적재면을 갖는 기판 적재부와, 기판 적재부를 수용하여, 기판 적재면에 적재된 기판을 처리하는 처리실을 형성하는 처리 용기와, 처리실에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와, 기판 적재부의 외주측에 배치되는 제1 벽부와, 제1 벽부보다도 더 기판 적재부의 외주측에 배치되는 제2 벽부와, 제1 벽부와 제2 벽부의 사이에 형성되어, 처리실 내의 가스를 배출하기 위한 배기 유로와, 기판 적재부의 하방에 배치되어, 적어도 제2 벽부의 하단의 하방측까지 연장되도록 구성된 실드판을 갖는 기술이 제공된다.