광전지 장치 및 그 제조 방법

본 발명에서, 교차지형(交差指型) 배면 접촉(interdigitated back contact; IBC) 광전지 장치가 개시되어 있고 진성 층(5) 상에 위치하고 기판(3)의 타입과 동일한 타입의 도핑을 갖는 제1 패터닝된 실리콘층(2)을 포함한다. 제1 전하 포집 부분들(2')은 상기 진성 층(5)의 사전에 결정된 부위들 상에 디포지트되고, 상기 적어도 부분적인 나노 결정질 층 부분들(2b)과 상기 사전에 결정된 부위들 간에 위치한 비정질 층 부분(2a)을 각각 포함한다. 상기 비정질 층 부분들(2a)은 나노 결정질 층 부분들(2b)의 폭보다 더 큰 폭을 갖는다. 상기 제1 패터닝된 실리콘층(2)의 상부 상에, 제2 타입의 도핑이 상기 제1 패터닝된 실리콘층(2)의 도핑 타입에 대해 p-형 도핑 또는 n-형 도핑 중 다른 도핑인 제2 나노 결정질 실리콘층(4)이 디포지트된다. In the present invention an interdigitated back contact (IBC) photovoltaic device is disclosed and comprises a first patterned silicon layer (2) situated on an intrinsic layer (5), and having the same type of doping as the one of said substrate (3). First charge collection portions (2') are deposited on predetermined areas of the intrinsic layer (5), and comprise each an amorphous layer portion (2a) situated between said predetermined areas and said at least partially nano-crystalline layer portions (2b). The amorphous layer portions (2a) have a larger width than the width of the nano-crystalline layer portions (2b).On top if the first patterned silicon layer (2), a second nano-crystalline silicon layer (4) is deposited that has a doping of a second type being the other of the p-type doping or the n-type doping with respect to the doping-type of said first patterned silicon layer (2).