광각 이온 빔에 대한 추출 어셈블리를 갖는 장치 및 시스템

장치는 플라즈마 챔버, 및 플라즈마 챔버 옆에 배치되는 플라즈마 플레이트를 포함할 수 있으며, 여기에서 플라즈마 플레이트는 제1 추출 개구를 획정한다. 장치는, 플라즈마 챔버 내에 배치되며 추출 개구를 향한 빔 차단기를 포함할 수 있다. 장치는, 빔 차단기에 인접하여 그리고 플라즈마 챔버 외부에 배치되는 비-평면 전극; 및 플라즈마 플레이트 외부에 배치되며 제1 추출 개구와 정렬된 제2 추출 개구를 획정하는 추출 플레이트를 더 포함할 수 있다. An ion beam processing apparatus may include a pl...

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Hauptverfasser: ROCKWELL TYLER, BILOIU COSTEL, SINCLAIR FRANK, CAMPBELL CHRISTOPHER, THOMAS APPU NAVEEN
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:장치는 플라즈마 챔버, 및 플라즈마 챔버 옆에 배치되는 플라즈마 플레이트를 포함할 수 있으며, 여기에서 플라즈마 플레이트는 제1 추출 개구를 획정한다. 장치는, 플라즈마 챔버 내에 배치되며 추출 개구를 향한 빔 차단기를 포함할 수 있다. 장치는, 빔 차단기에 인접하여 그리고 플라즈마 챔버 외부에 배치되는 비-평면 전극; 및 플라즈마 플레이트 외부에 배치되며 제1 추출 개구와 정렬된 제2 추출 개구를 획정하는 추출 플레이트를 더 포함할 수 있다. An ion beam processing apparatus may include a plasma chamber, and a plasma plate, disposed alongside the plasma chamber, where the plasma plate defines a first extraction aperture. The apparatus may include a beam blocker, disposed within the plasma chamber and facing the extraction aperture. The apparatus may further include a non-planar electrode, disposed adjacent the beam blocker and outside of the plasma chamber; and an extraction plate, disposed outside the plasma plate, and defining a second extraction aperture, aligned with the first extraction aperture.