TSV SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TSV AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

A semiconductor element comprises: a substrate; an interlayer insulating layer covering an upper surface of the substrate; individual elements disposed within the interlayer insulating layer; a lower insulating layer covering a lower surface of the substrate; a TSV structure penetrating the substrate, the interlayer insulating layer, and the lower insulating layer; a conductive pad connected to an upper end of the TSV structure; a via insulating layer surrounding the TSV structure; a capping insulating layer surrounding the TSV structure on the outside of the via insulating layer; and an air gap formed between the via insulating layer and the capping insulating layer. A portion of the air gap extends into the lower insulating layer. 반도체 소자는 기판; 상기 기판의 상면을 덮는 층간절연층; 상기 층간절연층 내에 배치되는 개별 소자; 상기 기판의 하면을 덮는 하부 절연층; 상기 기판, 상기 층간절연층 및 상기 하부 절연층을 관통하는 TSV 구조; 상기 TSV 구조의 상단에 연결되는 도전성 패드; 상기 TSV 구조를 둘러싸는 비아 절연층; 상기 비아 절연층의 외측에서 상기 TSV 구조를 둘러싸는 캡핑 절연층; 및 상기 비아 절연층과 상기 캡핑 절연층 사이에 형성되는 에어 갭을 포함하되, 상기 에어 갭의 일부가 상기 하부 절연층 내로 연장된다.