3 THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

An object of the present invention is to provide a 3D semiconductor memory device having reduced area, increased cell capacity per unit area, and an improved electrical characteristic. The present invention comprises a first structure and a second structure joined to the first structure. Each of the first and second structures comprises: a substrate; a peripheral circuit area on the substrate; and a cell array region including a stacked structure on the peripheral circuit region, vertical structures passing through the stacked structure, and a common source region in contact with the vertical structures. The stacked structure is positioned between the peripheral circuit region and the common source region. Disclosed are a 3D semiconductor memory device in which the common source regions of the first and second structures are bonded to each other, and an electronic system comprising the same. 본 발명은 제1 구조체 및 상기 제1 구조체와 접합되는 제2 구조체를 포함하되, 상기 제1 및 제2 구조체들 각각은 기판, 상기 기판 상의 주변 회로 영역, 및 상기 주변 회로 영역 상의 적층 구조체, 상기 적층 구조체를 관통하는 수직 구조체들, 및 상기 수직 구조체들과 접촉하는 공통 소스 영역을 포함하는 셀 어레이 영역을 포함하고, 상기 적층 구조체는 상기 주변 회로 영역과 상기 공통 소스 영역 사이에 위치하고, 상기 제1 및 제2 구조체들의 상기 공통 소스 영역들은 서로 접합되는 3차원 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 전자 시스템을 개시한다.