POLISHING PAD MANUFACTURING METHOD THEREOF AND PREPARING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

The present invention includes a polishing layer having a chemical bond structure and a cross-linked structure corresponding to a GPC measurement value of a processing composition obtained by treating the polishing layer of a polishing pad under a predetermined condition, such that a polishing surface of the polishing layer can exhibit appropriate hardness, thereby indicating a polishing rate and surface characteristics of a target range in the polishing of an object to be polished. In addition, the polishing surface maintains the same level of surface condition as an initial level even as time passes during a polishing process, such that polishing performance is prevented from deteriorating for a long time. A method of manufacturing a semiconductor device using the polishing pad exhibits high process efficiency in the polishing of a semiconductor substrate to be polished. In a final polishing result, the polished surface of the semiconductor substrate exhibits an appropriate polishing rate and the lowest level of defects. 본 발명은 연마패드의 연마층을 소정의 조건 하에서 처리한 가공 조성물이 나타내는 GPC 측정 값에 상응하는 화학적 결합 구조 및 가교 구조를 갖는 연마층을 포함함으로써, 상기 연마층의 연마면이 적절한 경도를 나타낼 수 있고, 이에 따라 피연마대상의 연마에 있어서 목적 범위의 연마율 및 표면 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 연마 공정 중에 시간이 경과함에 따라서도 연마면이 초기와 동등 수준의 표면 상태를 유지함으로써 장시간 연마 성능이 저하되지 않는 이점을 갖는다. 상기 연마패드를 이용한 반도체 소자의 제조방법은 연마 대상인 반도체 기판의 연마에 있어서 높은 공정 효율을 나타내며, 최종 연마 결과에 있어서, 상기 반도체 기판의 피연마면이 적정 연마율 및 최저 수준의 결함을 나타내는 효과를 얻을 수 있다.