Apparatus and method for inspecting multi-layer structure method for fabricating semiconductor device comprising the method

Provided are an apparatus and method for inspecting a multi-layer structure, which are able to inspect the multi-layer structure in a sample with reliability without damaging the sample. The apparatus for inspecting the multi-layer structure comprises: an input unit generating light and polarizing the light; a beam splitter splitting the light from the input unit into a first incident light and a second incident light; a sample unit allowing the first incident light to be incident into the sample and allowing a first reflected light generated thereby to move toward the beam splitter; a reference unit having a reference mirror and allowing the second incident light to be incident into the reference mirror and allowing a second reflected light generated thereby to move toward the beam splitter; and a detection unit accepting preset polarized light substances and detecting the intensity of radiation per wavelength from the first reflected light passing through the beam splitter or from the light made as the first reflected light is overlapped with the second reflected light. The present invention is able to measure the reflectance and the dispersion based on the intensity of radiation per wavelength and inspect the multi-layer structure of the sample. 본 발명의 기술적 사상은 시료의 손상없이 시료 내의 다중층 구조를 신뢰성 있게 검사할 수 있는 다중층 구조 검사 장치와 방법을 제공한다. 그 검사 장치는, 광을 생성하고 편광시키는 입력부; 상기 입력부로부터의 광을 제1 입사광과 제2 입사광으로 분리하는 빔 스플리터(beam splitter); 다중층 구조의 샘플이 구비되고, 상기 제1 입사광이 상기 샘플로 입사되어 생성된 제1 반사광이 상기 빔 스플리터로 향하도록 하는 샘플부; 기준 미러가 구비되고, 상기 제2 입사광이 상기 기준 미러로 입사되어 생성된 제2 반사광이 상기 빔 스플리터로 향하도록 하는 기준부; 및 상기 빔 스플리터를 통과한, 상기 제1 반사광에서, 또는 상기 제1 반사광과 제2 반사광의 중첩된 광에서, 설정된 편광 성분을 받아들여 파장 별 광량을 검출하는 검출부;를 포함하고, 상기 파장 별 광량에 기초하여 반사도(reflectance)와 분산량(dispersion)을 측정하여 상기 샘플의 다중층 구조를 검사한다.