촬상 장치

실시 형태의 촬상 장치는, 제1 기판과, 제2 기판과, 배선과, 트렌치를 가진다. 제1 기판은, 포토 다이오드와, 포토 다이오드에서 변환된 전하를 유지하는 플로팅 디퓨전을 갖는 화소를 가진다. 제2 기판은, 화소 내의 플로팅 디퓨전에 유지된 전하에 의거하는 화소 신호를 판독하는 화소 회로를 가지고, 제1 기판에 적층되어 있다. 배선은, 제1 기판과 제2 기판을 적층 방향으로 관통하여, 제1 기판 내의 플로팅 디퓨전과 제2 기판의 화소 회로 내의 증폭 트랜지스터 사이를 전기적으로 접속한다. 트렌치는, 적어도 제2 기판에 형성되어, 배선과 병주(竝走)하고, 제2 기판 내의 반도체층의 두께 이상의 깊이이다. An imaging device of an embodiment has a first substrate, a second substrate, a wire, and a trench. The first substrate has a pixel having a photodiode and a floating diffusion that holds a charge converted by the photodiode. The second substrate has a pixel circuit that reads a pixel signal based on the charge held in the floating diffusion in the pixel, and is stacked on the first substrate. The wire penetrates the first substrate and the second substrate in a stacking direction, and electrically connects the floating diffusion in the first substrate to an amplification transistor in the pixel circuit of the second substrate. The trench is formed at least in the second substrate, runs in parallel with the wire, and has a depth equal to or greater than the thickness of a semiconductor layer in the second substrate.