고체 촬상 장치

화소마다 광전 변환부 및 상기 광전 변환부에서 발생한 신호 전하가 축적되는 전하 축적부를 갖는 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층에 마련되고, 복수의 상기 화소를 서로 구획하는 화소 분리부와, 상기 전하 축적부의 상기 신호 전하를 판독하는 화소 트랜지스터가 마련됨과 함께, 상기 제1 반도체층에 적층된 제2 반도체층과, 상기 제2 반도체층과 상기 제1 반도체층 사이에 마련되고 또한 상기 화소 분리부를 넘어서 마련됨과 함께 복수의 상기 전하 축적부에 전기적으로 접속된 제1 공유 접속부를 구비한 고체 촬상 장치. There is provided a solid-state imaging device including: a first semiconductor layer including a photoelectric converter and an electric charge accumulation section for each pixel, the electric charge accumulation section in which a signal electric charge generated in the photoelectric converter is accumulated; a pixel separation section that is provided in the first semiconductor layer, and partitions a plurality of the pixels from each other; a second semiconductor layer that is provided with a pixel transistor and is stacked on the first semiconductor layer, the pixel transistor that reads the signal electric charge of the electric charge accumulation section; and a first shared coupling section that is provided between the second semiconductor layer and the first semiconductor layer, and is provided to straddle the pixel separation section and is electrically coupled to a plurality of the electric charge accumulation sections.