에칭 조성물
본 개시내용은, 예를 들어, 코발트 산화물 수산화물 층(cobalt oxide hydroxide layer)을 실질적으로 형성하지 않으면서 반도체 기판으로부터 질화티타늄(TiN)과 코발트(Co) 중 하나 또는 양쪽 모두를 선택적으로 제거하는 데 유용한 에칭 조성물(etching composition)에 관한 것이다. The present disclosure is directed to etching compositions that are useful for, e.g., selectively removing one or both of...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
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| Zusammenfassung: | 본 개시내용은, 예를 들어, 코발트 산화물 수산화물 층(cobalt oxide hydroxide layer)을 실질적으로 형성하지 않으면서 반도체 기판으로부터 질화티타늄(TiN)과 코발트(Co) 중 하나 또는 양쪽 모두를 선택적으로 제거하는 데 유용한 에칭 조성물(etching composition)에 관한 것이다.
The present disclosure is directed to etching compositions that are useful for, e.g., selectively removing one or both of titanium nitride (TiN) and cobalt (Co) from a semiconductor substrate without substantially forming a cobalt oxide hydroxide layer. |
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