Memristor device method of fabricating thereof synaptic device including memristor device and neuromorphic device including synaptic device

Disclosed are a memristor device, a method for fabricating the same, a synaptic device including the memristor device, and a neuromorphic device including the synaptic device. The disclosed memristor device may include: a first electrode; a second electrode disposed to be spaced apart from the first electrode; and a resistance change layer including a copolymer disposed between the first electrode and the second electrode. The copolymer may be a copolymer of a first monomer and a second monomer, a first polymer including the first monomer may have a property that diffusion of metal ions is easier than that of a second polymer including the second monomer, and the second polymer may have a property of a metal ion diffusivity lower than that of the first polymer. The first monomer may include vinylimidazole (VI). The second monomer may include 1,3,5-trivinyl-1,3,5-trimethylcyclotrisiloxane (V3D3). The copolymer may include p(V3D3-co-VI). The present invention enables improvement in performance uniformity between the devices. 멤리스터 소자, 그 제조 방법, 멤리스터 소자를 포함하는 시냅틱 소자 및 시냅틱 소자를 포함하는 뉴로모픽 소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 멤리스터 소자는 제 1 전극, 상기 제 1 전극과 이격하여 배치된 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 공중합체(copolymer)를 포함하는 저항변화층을 구비할 수 있다. 상기 공중합체는 제 1 단량체와 제 2 단량체의 공중합체일 수 있고, 상기 제 1 단량체로 이루어진 제 1 고분자는 상기 제 2 단량체로 이루어진 제 2 고분자보다 금속 이온의 확산이 용이한 특성을 가질 수 있고, 상기 제 2 고분자는 상기 제 1 고분자보다 금속 이온의 확산도가 낮은 특성을 가질 수 있다. 상기 제 1 단량체는 VI(vinylimidazole)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 단량체는 V3D3(1,3,5-trivinyl-1,3,5-trimethylcyclotrisiloxane)를 포함할 수 있다. 상기 공중합체는 p(V3D3-co-VI)를 포함할 수 있다.