Method for uniform flow behavior in an electroplating cell

Provided are apparatuses and methods for depositing a metal layer on a wafer. A secondary weir is located in an area below a primary weir such that plating solution which overflows the primary weir flows substantially uniformly in azimuth during electroplating. The plating solution overflows the pri...

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Hauptverfasser: DINNEEN DANIEL MARK, FENG JINGBIN
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:Provided are apparatuses and methods for depositing a metal layer on a wafer. A secondary weir is located in an area below a primary weir such that plating solution which overflows the primary weir flows substantially uniformly in azimuth during electroplating. The plating solution overflows the primary weir and flows over the secondary weir while staying in contact with the already overflowing plating solution, and therefore the overflow is substantially uniform in azimuth and flow rate between wafer processes is increased to electroplate the wafers. 웨이퍼 상에 금속 층을 디포지션하기 위한 장치들 및 방법들이 제공된다. 보조 위어가 주 위어 아래의 영역에 위치하여서 전기도금 동안에 주 위어를 오버플로우한 도금 용액이 실질적으로 방위각적으로 균일하게 유동한다. 도금 용액이 주 위어를 오버플로우하고, 이미 오버플로우한 도금 용액과 접촉하면서 머무르며 보조 위어 상으로 유동하며 이로써 오버플로우가 실질적으로 방위각적으로 균일하게 되면서 웨이퍼 프로세스들 간에서 플로우 레이트를 증가시킴으로써 웨이퍼들을 전기도금하는 방법들이 제공된다.