SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes: gate electrodes spaced apart from each other and vertically stacked on a substrate; interlayer insulating layers alternately stacked with the gate electrodes on the substrate; and channel structures passing through the gate electrodes and extended and perpendicular to the substrate. Each of the channel structures includes a gate dielectric layer on the gate electrodes, a channel layer on the gate dielectric layer, a buffer layer on the channel layer, an impurity providing layer on the buffer layer, and a buried insulating layer on the impurity providing layer. The channel layer, the buffer layer, and the impurity providing layer include impurities including a halogen element. The buffer layer includes a material different from that of the channel layer, and includes the impurities having a lower concentration than the impurity providing layer. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 기판 상에 서로 이격되어 수직하게 적층되는 게이트 전극들, 상기 기판 상에 상기 게이트 전극들과 교대로 적층되는 층간 절연층들, 및 상기 게이트 전극들을 관통하여 상기 기판에 수직하게 연장되는 채널 구조물들을 포함하고, 상기 채널 구조물들 각각은, 상기 게이트 전극들 상의 게이트 유전층, 상기 게이트 유전층 상의 채널층, 상기 채널층 상의 버퍼층, 상기 버퍼층 상의 불순물 제공층, 및 상기 불순물 제공층 상의 매립 절연층을 포함하고, 상기 채널층, 상기 버퍼층, 및 상기 불순물 제공층은 할로겐 원소를 포함하는 불순물들을 포함하고, 상기 버퍼층은 상기 채널층과 다른 물질을 포함하고, 상기 불순물 제공층보다 낮은 농도로 상기 불순물들을 포함한다.