DUAL GATE STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

The present disclosure describes a semiconductor structure that includes a channel region, a source region adjacent to the channel region, a drain region, a drift region adjacent to the drain region, and a dual gate structure. The dual gate structure includes a first gate structure on portions of a channel region and portions of a drift region. The dual gate structure also includes a second gate structure on the drift region. 본 개시는 채널 영역, 채널 영역에 인접해 있는 소스 영역, 드레인 영역, 드레인 영역에 인접해 있는 드리프트 영역, 및 듀얼 게이트 구조물을 포함하는 반도체 구조물을 설명한다. 듀얼 게이트 구조물은 채널 영역의 일부분들과 드리프트 영역의 일부분들 위에 있는 제1 게이트 구조물을 포함한다. 듀얼 게이트 구조물은 또한 드리프트 영역 위에 있는 제2 게이트 구조물을 포함한다.