로우-k 재료, 구리, 코발트 및/또는 텅스텐의 층의 존재 하에 하드 마스크 및/또는 에치-스탑 층을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 프로세스

반도체 기판의 표면으로부터 포스트-에치 또는 포스트-애쉬 잔류물을 제거하기 위한 및/또는 TiN, Ta, TaN, Al 및 HfOx 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 재료를 포함하거나 또는 이로 이루어지는 층 또는 마스크 및/또는 텅스텐 카르바이드 (WCx) 및 텅스텐 나이트라이드 (WNx) 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 재료를 포함하거나 또는 이로 이루어지는 층 또는 마스크를 산화적 에칭 또는 부분적으로 산화적 에칭하기 위한, 및/또는 알루미늄 화합물을 포함하는 층을 반도체 기판의 표면으로부터 제거하기 위한 하나 이상의 산화제와 조합된 세정 조성물의 용도가 기재된다. 또한 상기 세정 조성물 및 반도체 기판의 표면으로부터 포스트-에치 또는 포스트-애쉬 잔류물을 제거하기 위한 상기 세정 조성물의 용도가 기재된다. 추가의 양태 하에서, 상기 세정 조성물 및 하나 이상의 산화제를 포함하는 습식-에치 조성물 뿐만 아니라 상기 습식-에치 조성물의 용도이 기재된다. 반도체 기판으로부터 반도체 디바이스를 제조하는 프로세스 및 상기 세정 조성물 및 하나 이상의 산화제를 포함하는 키트가 또한 기재된다. The use of a cleaning composition in combination with one or more oxidants is described for removing post-etch or post-ash residue from the surface of a semiconductor substrate and/or for oxidative etching or partially oxidative etching of a layer or mask comprising or consisting of a material selected from the group consisting of TiN, Ta, TaN, Al and HfOx and/or a layer or mask comprising or consisting of a material selected from the group consisting of tungsten carbide (WCx) and tungsten nitride (WNx), and/or for removing from the surface of a semiconductor substrate a layer comprising an aluminium compound. Further is described said cleaning composition and a use of said cleaning composition for removing post-etch or post-ash residue from the surface of a semiconductor substrate. Under a further aspect, it is described a wet-etch composition comprising said cleaning composition and one or more oxidants as well as the use of said wet-etch composition. A process for the manufacture of a semiconductor device from a semiconductor substrate and a kit comprising said cleaning composition and one or more oxidants are also described.