Integrated circuit device

According to a technical idea of the present invention, an integrated circuit element comprises: a substrate comprising an active region; a gate trench extending across the active region; a first insulating film conformally covering an inner surface of the gate trench; a gate structure filling a lower portion of the gate trench on the first insulating film; a second insulating film conformally covering an upper surface of the gate structure and a sidewall of the first insulating film in the gate trench; and a capping insulating film filling an upper portion of the gate trench on the second insulating film. 본 발명의 기술적 사상에 따른 집적회로 소자는, 활성 영역을 포함하는 기판, 활성 영역을 가로질러 연장되는 게이트 트렌치, 게이트 트렌치의 내부 표면을 컨포멀하게 덮는 제1 절연막, 제1 절연막 상에서 게이트 트렌치의 하부를 채우는 게이트 구조체, 게이트 트렌치 내에서 게이트 구조체의 상면 및 제1 절연막의 측벽을 컨포멀하게 덮는 제2 절연막, 및 제2 절연막 상에서 게이트 트렌치의 상부를 채우는 캡핑 절연막을 포함한다.