RESIST COMPOSITION METHOD OF FORMING RESIST PATTERN COMPOUND AND RESIN

Disclosed is a resist composition containing a resin component (A1) whose solubility in a developer changes due to the action of an acid, wherein the resin component (A1) has a structural unit (a01) derived from a compound represented by general formula (a01-1). In the formula, W^01 is a polymerizable group-containing group, C^t is a tertiary carbon atom, X^t is a group for forming a monocyclic or a polycyclic alicyclic group together with C^t, and the alicyclic group has an oxygen atom or a sulfur atom in a ring structure. R_a^1 to R_a^3 are each independently a hydrocarbon group and the like having 1 to 10 carbon atoms which can have a substituent. 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 수지 성분 (A1) 을 함유하고, 수지 성분 (A1) 은, 일반식 (a01-1) 로 나타내는 화합물로부터 유도되는 구성 단위 (a01) 을 갖는 레지스트 조성물. 식 중, W01 은, 중합성기 함유기이다. Ct 는, 제 3 급 탄소 원자이고, Xt 는, Ct 와 함께 단고리 또는 다고리의 지환식기를 형성하는 기이고, 이 지환식기는, 고리 구조 중에 산소 원자 또는 황 원자를 갖는다. Ra1 ∼ Ra3 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 탄화수소기 등이다. [화학식 1] TIFFpat00109.tif4386