Ceramic parts with improved dielectric constant and manufacturing method thereof

The present invention relates to ceramic powder and a ceramic part, which have an improved dielectric constant, and a manufacturing method thereof. More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a ceramic part for a semiconductor etching device. The method comprises: a mixing step of forming a mixture by adding Y_2O_3 powder and Al_2O_3 powder into a ball mill and mixing the powders for 24 hours; a drying step of drying the mixture in a dryer for 24 hours; a ceramic part forming step of putting the dried mixture into a mold and forming a ceramic part at a pressure of 1,350-1,450 kgf/cm^2; and a sintering step of sintering the ceramic part at a temperature of 1,500-1,700℃ for two hours to finally manufacture the ceramic part. As parts constituting the inside a chamber during a semiconductor etching process, parts with a high dielectric constant (resistance) against plasma gas are used, so that when the plasma gas is diffused inside the chamber, the gas is concentrated to a surface of a wafer, thereby maximizing operation efficiency. Therefore, a ceramic part manufactured thereby is a useful invention without any inclination. 본 발명은 유전율을 향상시킨 세라믹 파우더 및 세라믹 부품과 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 에칭장치용 세라믹 부품 제조방법에 있어서, JPEGpat00077.jpg49분말과 JPEGpat00078.jpg410분말을 볼밀기에 넣어 24시간 혼합하여 혼합물을 형성하는 혼합단계; 상기 혼합물을 건조기로 24시간 건조하는 건조단계; 상기 건조된 혼합물을 구비된 금형에 넣어 1350~1450kgf/JPEGpat00079.jpg46로 세라믹 부품 형상을 형성하는 세라믹 부품 형성단계; 상기 세라믹 부품을 1500~1700°의 온도로 2시간 소성하는 소성단계; 를 포함하여 최종적으로 세라믹 부품을 제조함으로써, 반도체 에칭공정 시 챔버의 내부에 구성되는 다양한 종류의 부품들을 플라즈마 가스로부터 유전율(저항력)이 높은 부품을 사용하여, 상기 챔버의 내부에 플라즈마 가스 확산 시, 상기 가스가 웨이퍼의 표면으로 집중될 수 있게 되어 작업의 효율성을 극대화시킬 수가 있고, 이렇게 제조된 세라믹 부품은 경향성이 없는 유용한 발명인 것이다.