APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE

The present invention provides an apparatus for treating a substrate, which can reduce the production of carbonate ions. In an embodiment, the apparatus for treating a substrate includes: a substrate support unit that supports and rotates a substrate; a nozzle that supplies a process liquid to the s...

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Hauptverfasser: HONG YONG HOON, YOON DOHYEON
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention provides an apparatus for treating a substrate, which can reduce the production of carbonate ions. In an embodiment, the apparatus for treating a substrate includes: a substrate support unit that supports and rotates a substrate; a nozzle that supplies a process liquid to the substrate supported by the substrate support unit; and a process liquid supply unit that supplies the process liquid to the nozzle, wherein the process liquid supply unit includes: a chemical liquid container that is communicably connected to the nozzle and stores a chemical liquid in an internal space; a first injection line that is connected to the chemical liquid container and injects a first gas into the chemical liquid container; a decompression line that is connected to the chemical liquid container and provided with a decompression pump to decompress the internal space of the chemical liquid container; an outflow line that discharges the chemical liquid stored in the chemical liquid container to the outside of the chemical liquid container; and a controller that controls supply of the first gas by the injection line and the pressure in the internal space of the chemical liquid container by the decompression line. The controller injects the first gas so that the pressure in the internal space of the chemical liquid container is equal to or greater than the first pressure, and controls the decompression of the internal space to be repeated a set number of times or more so that the pressure in the internal space of the chemical liquid container is equal to or less than a second pressure. 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하고 회전시키는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 공정 유체를 공급하는 노즐; 및 상기 노즐로 상기 공정 유체를 공급하는 공정 유체 공급 유닛을 포함하고, 상기 공정 유체 공급 유닛은, 상기 노즐과 유통 가능하게 연결되며 내부 공간에 약액을 저장하는 약액 용기; 상기 약액 용기에 연결되어 상기 약액 용기에 제1 기체를 주입하는 제1 주입 라인; 상기 약액 용기에 연결되고, 감압 펌프가 설치되어 상기 약액 용기의 상기 내부 공간을 감압하는 감압 라인; 상기 약액 용기에 저장된 약액을 상기 약액 용기의 외부로 내보내는 유출 라인; 및 상기 주입 라인에 의한 상기 제1 기체의 공급과 상기 감압 라인에 의한 상기 약액 용기의 상기 내부 공간의 압력을 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 약액 용기의 상기 내부 공간의 압력이 제1 압력 이상이 되도록 제1 기체를 주입하고, 상기 약액 용기의 상기 내부 공간의 압력이 제2 압력 이하가 되도록 상기 내부 공간을 감압하기를 설정 횟수 이상 반복하도록 제어한다.