편면연마방법

본 발명은, 연마패드를 이용하여 웨이퍼의 표면의 연마를 행하는 편면연마방법으로서, 상기 연마패드의 온도변화를 모니터링하고, 상기 연마의 개시시로부터 제1의 조건으로 상기 웨이퍼의 표면을 연마하고, 상기 연마패드의 온도변화가 상승으로부터 하강으로 변화한 시점에서, 상기 제1의 조건으로부터 제2의 조건으로 전환하여 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 것을 특징으로 하는 편면연마방법이다. 이에 따라, 자연산화막이 제거된 것을 정확하게 검출하여 엣지롤오프를 억제할 수 있다. The present invention is a single surface polishing method using a polishing pad to polish a wafer surface, the single surface polishing method being characterized by comprising: monitoring a change in the polishing pad temperature; polishing the wafer surface from the polishing start time under a first condition; and at a time point when the change in the polishing pad temperature changes from rising to falling, switching from the first condition to a second condition to polish the wafer surface. In this manner, edge roll-off can be suppressed by accurately detecting that a natural oxide film has been removed.