에칭 처리 방법 및 에칭 처리 장치

산화알루미늄막을 산화실리콘막 및 질화실리콘막에 대해 높은 선택비로 고정밀도로 에칭할 수 있는 에칭 처리 방법 및 에칭 처리 장치를 제공하기 위해, 산화알루미늄막이 상면에 배치된 웨이퍼를 처리실 내에 배치하고, 당해 웨이퍼를 -20℃ 이하의 온도로 유지해서, 상기 웨이퍼의 상기 상면의 상방에 소정의 극간을 두고 배치된 판상의 부재의 복수의 관통 구멍으로부터 불화수소의 증기를 미리 정해진 기간만큼 공급하여 상기 산화알루미늄막을 에칭하는 공정을 구비했다. To provide an etching processing method and an etching processing apparatus which allow an aluminum oxide film to be etched with high accuracy and with a high selectivity to each of a silicon oxide film and a silicon nitride film, the etching processing method includes the step of placing, in a processing chamber, a wafer having the aluminum oxide film disposed on an upper surface thereof, maintaining the wafer at a temperature of −20° C. or less, and supplying vapor of hydrogen fluoride from a plurality of through holes in a plate-like member disposed above the upper surface of the wafer with a predetermined gap being provided therebetween only for a predetermined period to etch the aluminum oxide film.