광학 센서 디바이스 및 광학 센서 디바이스를 제조하기 위한 방법

광학 센서 디바이스는, 감광 영역(11)을 갖는 반도체 바디(10), 감광 영역(11) 위에 배열되고 상부 금속층(21) 및 하부 금속층(22)을 포함하는 금속층(20)을 포함하며, 상기 상부 금속층(21)은 상기 하부 금속층(22)보다 상기 감광 영역(11)으로부터 더 먼 거리에 위치된다. 광학 센서 디바이스는 감광 영역(11) 위의 금속층(20) 내의 애퍼처 개구(24), 및 애퍼처 개구(24) 외부에 배열되고 금속층(20) 및/또는 반도체 바디(10)를 상호연결하는 비아 구조물(30)을 더 포함한다. 비아 구조물(30)은, 감광 영역(11)에 평행하고 감광 영역(11)과 상부 금속층(21) 사이의 애퍼처 개구(24)를 가로지르는 임의의 직선(S)이 양방향 둘 다에서 비아 구조물(30)에 의해 제한되는 방식으로 배열된다. An optical sensor device comprises a semiconductor body (10) with a light-sensitive area (11), metal layers (20) which are arranged above the light-sensitive area (11) and comprise an upper metal layer (21) and a lower metal layer (22), wherein the upper metal layer (21) is located at a greater distance from the light-sensitive area (11) than the lower metal layer (22). The optical sensor device further comprises an aperture opening (24) in the metal layers (20) above the light-sensitive area (11) and a via structure (30), which is arranged outside the aperture opening (24) and interconnects the metal layers (20) and/or the semiconductor body (10). The via structure (30) is arranged in such a fashion that any straight line (S) that is parallel to the light-sensitive area (11) and traverses the aperture opening (24) between the light-sensitive area (11) and the upper metal layer (21) is limited in both of its opposite directions by the via structure (30).