Substrate processing apparatus

The present invention relates to a substrate processing device. More specifically, the present invention relates to the substrate processing device that can be used stably even when a substrate is enlarged and can provide a plasma with an improved uniformity to a processing surface of the substrate. The substrate processing device according to an embodiment of the present invention comprises: a chamber accommodating the substrate therein; a gas supply part that supplies a process gas to an interior of the chamber; a tubular partition wall part mounted in the chamber, and surrounding a plasma generating space in which the processing gas is activated; and an induction coil wound along an outer side surface of the tubular partition wall part, wherein the tubular partition wall part may comprise a wall surface member in which the generated induced magnetic field by the induction coil can pass through at least partially, and a frame member that fix-supports the wall surface member. 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 대형화에도 안정적인 사용이 가능하고, 기판의 처리면에 대하여 균일도가 향상된 플라즈마를 제공할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판을 수용하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 처리가스를 공급하는 가스공급부; 상기 챔버에 장착되어, 상기 처리가스가 활성화되는 플라즈마 생성공간을 둘러싸는 관형 격벽부; 및 상기 관형 격벽부의 외측면을 따라 권선되는 유도코일;을 포함하고, 상기 관형 격벽부는, 상기 유도코일에 의해 생성된 유도자기장이 적어도 부분적으로 통과할 수 있는 벽면부재; 및 상기 벽면부재를 고정 지지하는 프레임부재;를 포함할 수 있다.