Nonvolatile Memory Device and Operating Method thereof

According to an embodiment of the present invention, provided is a nonvolatile memory device, which includes: a memory cell array including a plurality of memory cells; a page buffer circuit connected to the memory cell array through a plurality of bit lines and configured to perform a sensing operation of sensing selected memory cells from among the plurality of memory cells for a sensing time through the plurality of bit lines; an input/output circuit configured to perform a data output operation of outputting data from the page buffer circuit to an external device through data lines; and a sensing time control circuit configured to adjust the sensing time when the data output operation is performed during the sensing time. 본 발명의 실시 예에 따른, 불휘발성 메모리 장치는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 복수의 비트라인들을 통해 메모리 셀 어레이와 연결되고, 복수의 비트라인들을 통해서 복수의 메모리 셀들 중에서 선택된 메모리 셀들을 센싱 시간 동안 센싱하는 센싱 동작을 수행하도록 구성된 페이지 버퍼 회로, 페이지 버퍼 회로로부터의 데이터를 데이터 라인들을 통해 외부 장치로 출력하는 데이터 출력 동작을 수행하도록 구성된 입출력 회로, 및 센싱 시간 동안, 데이터 출력 동작이 수행되는 경우, 센싱 시간을 조정하도록 구성된 센싱 시간 제어 회로를 포함한다.