Semiconductor deposition monitoring device

The present invention relates to a semiconductor deposition monitoring device, which improves the temperature control precision formed when a semiconductor deposition apparatus performs a deposition operation on a wafer, and improves temperature reproducibility and the accuracy of analysis for by-products formed in a chamber. According to embodiments of the present invention, the semiconductor deposition monitoring device comprises: a support supporting a deposition target wafer on which a deposition material is deposited; a chamber including an upper dome covering the support and an upper part of the wafer and a lower dome covering the support and a lower part of the wafer; a lamp irradiating light to the chamber; an optical sensor measuring the amount of deposition material formed in the chamber by being irradiated with light; a conduit including an inlet conduit for injecting air into the chamber and an outlet conduit for receiving air discharged from the chamber and including a plurality of sensors for sensing air information; and a heat exchanger connected to the conduit and controlling the heat of air based on values sensed through the plurality of sensors. 반도체 증착 장치가 웨이퍼에 증착 동작을 수행할 때 형성되는 온도 제어 정밀도를 향상시키고, 온도 재현성을 향상시키며, 챔버 내에 형성되는 부산물에 대한 분석의 정확도를 향상시키는 몇몇 실시예에 따른 반도체 증착 모니터링 장치가 제공된다. 몇몇 실시예에 따른 반도체 증착 모니터링 장치는 증착 물질이 증착되는 증착 대상 웨이퍼를 지지하는 지지대, 지지대와 웨이퍼의 상부를 덮는 상부 돔과, 지지대와 웨이퍼의 하부를 덮는 하부 돔을 포함하는 챔버, 챔버에 빛을 조사하는 램프, 빛을 조사받아 챔버에 형성된 증착 물질의 양을 측정하는 광학 센서, 챔버에 공기를 주입하는 유입 도관과 챔버가 배출한 공기를 주입받는 배출 도관을 포함하며, 공기의 정보를 센싱하는 복수의 센서를 포함하는 도관, 및 도관과 연결되고, 복수의 센서를 통해 센싱된 값을 바탕으로 공기의 열을 조절하는 열 교환기를 포함한다.