DISPLAY DEVICE

An objective of the present invention is to provide a display device in which resistance of an oxide semiconductor pattern is reduced. The display device may comprise: a polycrystalline silicon pattern disposed on a substrate; a scan line disposed on the polycrystalline silicon pattern; a lower gate signal line disposed on the scan line; an oxide semiconductor pattern disposed on a lower gate signal line and comprising a channel part overlapping the lower gate signal line and a low-resistance part formed on a side of the channel part; a metal pattern disposed on at least one surface of the low-resistance part; and an upper gate signal line disposed on the oxide semiconductor pattern and overlapping the channel part. 표시 장치는 기판 상에 배치되는 다결정 실리콘 패턴, 다결정 실리콘 패턴 상에 배치되는 스캔선, 스캔선 상에 배치되는 하부 게이트 신호선, 하부 게이트 신호선 상에 배치되고 하부 게이트 신호선에 중첩하는 채널부 및 채널부의 측부에 형성되는 저저항부를 포함하는 산화물 반도체 패턴, 저저항부의 적어도 일 면에 배치되는 금속 패턴, 그리고 산화물 반도체 패턴 상에 배치되고 채널부에 중첩하는 상부 게이트 신호선을 포함할 수 있다.