ETCH PROCESSING SYSTEM HAVING REFLECTIVE ENDPOINT DETECTION

실시예들은 웨이퍼 및 포토마스크 처리 장비를 포함한다. 광원 및 광 검출기를 갖는 종료점 검출 시스템을 포함하는 에칭 처리 시스템이 설명된다. 일례로, 광원은 에칭 챔버의 기판 지지 부재 위의 정렬 영역을 향해 광을 방출하고, 광 검출기는 정렬 영역으로부터의 광의 반사를 수신한다. 종료점 및 프로세스 제어를 위해 반사가 모니터링된다. 제2 광원은 정렬 영역을 향해 광을 방출하고, 카메라는 광을 수신하여 정렬 영역을 이미지화한다. 이미지는 종료점 검출 시스템에 의해 방출된 광을 정렬 영역 내의, 예컨대 기판 지지 부재 상에 장착된 기판의 정렬 개구 내의 스폿 위치에 정렬하는 데 사용될 수 있다. Embodiments include wafer and photomask processing equipment. An etch processing system including an endpoint detection system having a light source and a photodetector is described. In an example, the light source emits light toward an alignment region over a substrate support member of an etch chamber, and the photodetector receives a reflection of the light from the alignment region. The reflection is monitored for endpoint and process control. A second light source emits light toward the alignment region, and a camera receives the light to image the alignment region. The image can be used to align the light emitted by the endpoint detection system to a spot location within the alignment region, e.g., within an alignment opening of a substrate mounted on the substrate support member.