Semiconductor device and method of fabricating the same

Provided are a semiconductor device and a manufacturing method thereof. The semiconductor device includes: a plurality of conductive pillars disposed on a semiconductor substrate; a first support pattern partially in contact with one side of the conductive pillars, connecting the conductive pillars, and including first support holes exposing other side surfaces of the conductive pillars; a capping conductive pattern in contact with surfaces of the conductive pillars exposed without contacting the first support pattern, but exposing the first support pattern; and a dielectric layer covering the first support pattern and the capping conductive pattern and spaced apart from the conductive pillars. According to the present invention, an additional process for removing a capping conductive pattern of an unwanted region is not required, thereby simplifying the process and improving the yield. 반도체 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 반도체 장치는, 반도체 기판 상에 배치되는 복수개의 도전 기둥들; 상기 도전 기둥들의 일 측면들과 부분적으로 접하며 상기 도전 기둥들을 연결하되, 상기 도전 기둥들의 다른 측면들을 노출시키는 제 1 지지 홀들을 포함하는 제 1 지지 패턴; 상기 제 1 지지 패턴과 접하지 않고 노출되는 상기 도전 기둥들의 표면들과 접하되, 상기 제 1 지지 패턴을 노출시키는 캐핑 도전 패턴; 및 상기 제 1 지지 패턴과 상기 캐핑 도전 패턴을 덮되 상기 도전 기둥들과는 이격된 유전막을 포함한다.