MULTI-LEVEL STACKING OF WAFERS AND CHIPS

In a method, a wafer is bonded to a first carrier. The wafer includes a semiconductor substrate and a plurality of first through vias extending into the semiconductor substrate. The method comprises the following steps of: bonding a plurality of chips onto a wafer, wherein gaps are located between the plurality of chips; performing a gap fill process to form gap fill regions in the gaps; bonding a second carrier onto the plurality of chips and the gap fill regions; debonding the first carrier from the wafer; and forming electrical connectors electrically coupled to conductive features on a first wafer. The electrical connectors are electrically connected to the plurality of chips through the first plurality of through vias. 방법에서, 웨이퍼가 제1 캐리어에 본딩된다. 웨이퍼는, 반도체 기판, 및 반도체 기판 내로 연장되는 제1 복수의 관통 비아들을 포함한다. 방법은, 웨이퍼 위에 복수의 칩들을 본딩하는 단계 - 복수의 칩들 사이에 갭들이 위치됨 -, 갭들에 갭 충전 영역들을 형성하기 위해 갭 충전 프로세스를 수행하는 단계, 복수의 칩들 및 갭 충전 영역들 상에 제2 캐리어를 본딩하는 단계, 웨이퍼로부터 제1 캐리어를 디본딩하는 단계, 및 제1 웨이퍼에서 전도성 피처들에 전기적으로 연결되는 전기 커넥터들을 형성하는 단계를 더 포함한다. 전기 커넥터들은 제1 복수의 관통 비아들을 통해 복수의 칩들에 전기적으로 연결된다.