성막 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 성막 장치 및 반도체 장치를 제조하는 시스템

기판 상에 V족 금속의 질화막을 성막하는 방법은, 처리 용기 내에 기판을 마련하는 것과, 처리 용기 내에, V족 금속을 포함하는 원료 가스와, 질소를 함유하는 가스를 포함하는 환원 가스를 교대로 공급해서 기판 상에 V족 금속의 질화막을 형성하는 것을 포함한다. A method of forming a group V metal nitride film on a substrate includes: providing the substrate within a processing container; and forming the group V m...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	NAKAMURA HIDEO, SERIZAWA YOSUKE, ASHIZAWA HIROAKI, IDENO YOSHIKAZU
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	기판 상에 V족 금속의 질화막을 성막하는 방법은, 처리 용기 내에 기판을 마련하는 것과, 처리 용기 내에, V족 금속을 포함하는 원료 가스와, 질소를 함유하는 가스를 포함하는 환원 가스를 교대로 공급해서 기판 상에 V족 금속의 질화막을 형성하는 것을 포함한다. A method of forming a group V metal nitride film on a substrate includes: providing the substrate within a processing container; and forming the group V metal nitride film on the substrate by alternately supplying, into the processing container, a raw material gas including a group V metal and a reducing gas including a nitrogen-containing gas.