포지티브형 레지스트 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴의 제조 방법

리프트-오프에 적합한 패턴 형상을 형성할 수 있는 포지티브형 레지스트 조성물이 제공된다. 포지티브형 레지스트 조성물은 (A) 특정 중합체, (B) 이미드기를 갖는 산 발생제, (C) 용해 속도 조절제 및 (D) 용매를 포함한다. A positive type resist composition capable of forming a pattern shape suitable for lift-off is provided. A positive type resist composition comprising (A) a certain polymer...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ZHANG RUI, URABE YOSHIKO, KATAYAMA TOMOHIDE, AKASHI KAZUMICHI
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	리프트-오프에 적합한 패턴 형상을 형성할 수 있는 포지티브형 레지스트 조성물이 제공된다. 포지티브형 레지스트 조성물은 (A) 특정 중합체, (B) 이미드기를 갖는 산 발생제, (C) 용해 속도 조절제 및 (D) 용매를 포함한다. A positive type resist composition capable of forming a pattern shape suitable for lift-off is provided. A positive type resist composition comprising (A) a certain polymer, (B) an acid generator having an imide group, (C) a dissolution rate modifier and (D) a solvent.