검사 장치 조정 시스템 및 검사 장치 조정 방법

본 발명은 검사 대상인 웨이퍼의 광학 조건을 신속하게 특정하는 것이며, 특히 고객 웨이퍼를 입수 후에, 광학 조건 설정을 신속화하는 것을 과제로 한다. 본 발명에 따른 검사 장치 자동 조정 시스템은, 해석 조건을 입력하는 해석 조건 설정 IF(102)와, 해석을 행하는 해석 실행부(103)와, 해석에 사용하는 검사 장치 모델과 모델 DB(101)와, 해석 결과를 축적한 해석 결과 DB(104)와, 웨이퍼 패턴과 포커스 포인트와 최적화 지표와 우선도를 입력하는 관찰 조건 설정 IF(105)와, 입력한 웨이퍼 패턴과 유사한 웨이퍼 패턴을 검색하는 웨이퍼 패턴 검색부(106)와, 유사 웨이퍼 패턴과 포커스 포인트에 있어서 최적의 광학 조건을 해석 결과 DB(104)로부터 추출하는 광학 조건 추출부(107)와, 광학 조건에 대응한 제어 신호를 생성하고 검사 장치에 송신하는 광학 조건 설정부(108)를 갖는다. Disclosed is a solution for quickly specifying an optical condition of a wafer to be inspected, and in particular, accelerating optical condition setting after obtaining a customer wafer. An inspection apparatus automatic adjustment system according to the present invention includes an analysis-condition-setting interface that inputs analysis conditions; an analysis-execution unit that performs analysis; an inspection-device model and model DB used for analysis; an analysis-result DB that stores analysis results; an observation-condition setting interface that inputs a wafer pattern, a focus point, an optimization index, and a priority; a wafer-pattern search unit that searches for a wafer pattern similar to the input wafer pattern; an optical-condition-extraction unit that extracts, from the analysis result DB, the optimum optical condition for the similar wafer pattern and the focus point; and an optical-condition-setting unit that generates a control signal corresponding to the optical condition and transmits the control signal to the inspection apparatus.