SELECTIVE ETCH RATE MONITOR
실시예들은 실시간 식각률 센서, 및 실시간 식각률 센서를 사용하기 위한 방법들을 포함한다. 실시예에서, 실시간 식각률 센서는 공진 시스템 및 전도성 하우징을 포함한다. 공진 시스템은 공진 몸체, 공진 몸체의 제1 표면 위에 형성된 제1 전극, 공진 몸체의 제2 표면 위에 형성된 제2 전극, 및 제1 전극 위에 형성된 희생 층을 포함할 수 있다. 실시예에서, 제1 전극의 적어도 일부는 희생 층에 의해 커버되지 않는다. 실시예에서, 전도성 하우징은 공진 시스템을 고정시킬 수 있다. 추가적으로, 전도성 하우징은 제1 전극과 접촉하고, 전...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 실시예들은 실시간 식각률 센서, 및 실시간 식각률 센서를 사용하기 위한 방법들을 포함한다. 실시예에서, 실시간 식각률 센서는 공진 시스템 및 전도성 하우징을 포함한다. 공진 시스템은 공진 몸체, 공진 몸체의 제1 표면 위에 형성된 제1 전극, 공진 몸체의 제2 표면 위에 형성된 제2 전극, 및 제1 전극 위에 형성된 희생 층을 포함할 수 있다. 실시예에서, 제1 전극의 적어도 일부는 희생 층에 의해 커버되지 않는다. 실시예에서, 전도성 하우징은 공진 시스템을 고정시킬 수 있다. 추가적으로, 전도성 하우징은 제1 전극과 접촉하고, 전도성 하우징의 내부 에지의 적어도 일부는 희생 층으로부터 이격될 수 있다.
Embodiments include a real time etch rate sensor and methods of for using a real time etch rate sensor. In an embodiment, the real time etch rate sensor includes a resonant system and a conductive housing. The resonant system may include a resonating body, a first electrode formed over a first surface of the resonating body, a second electrode formed over a second surface of the resonating body, and a sacrificial layer formed over the first electrode. In an embodiment, at least a portion of the first electrode is not covered by the sacrificial layer. In an embodiment, the conductive housing may secure the resonant system. Additionally, the conductive housing contacts the first electrode, and at least a portion of an interior edge of the conductive housing may be spaced away from the sacrificial layer. |
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