VERTICAL MEMORY DEVICES

A vertical memory device may comprise: a gate electrode structure including gate electrodes spaced apart on top of a substrate in a first direction perpendicular to the upper surface of the substrate; channels penetrating the gate electrode structure and including a first part formed on top of the substrate and a second part formed on the first part to be in contact with the same and having a bottom surface with a width smaller than the width of the upper surface of the first part; a charge storage structure for covering the outer side wall of each of the channels; and a separation pattern extending in a second direction parallel to the upper surface of the substrate between the channels, and including a first dummy channel and a first dummy charge storage for covering the side walls and the bottom surface of the first dummy channel. The first dummy channel includes the same material with each of the channels, and the first dummy charge storage structure may include the same material with the charge storage structure. Therefore, provided is a vertical memory device having excellent electric properties. 수직형 메모리 장치는 기판의 상면에 수직한 제1 방향을 따라 상기 기판 상에서 서로 이격된 게이트 전극들을 포함하는 게이트 전극 구조물, 각각이 상기 게이트 전극 구조물을 관통하며, 상기 기판 상에 형성된 제1 부분 및 상기 제1 부분 상에 형성되어 이와 접촉하며, 상기 제1 부분의 상면의 폭보다 작은 폭의 저면을 갖는 제2 부분을 각각 포함하는 채널들, 상기 각 채널들의 외측벽을 커버하는 전하 저장 구조물, 및 상기 채널들 사이에서 상기 기판의 상면에 평행한 제2 방향으로 연장되며, 제1 더미 채널 및 상기 제1 더미 채널의 측벽 및 저면을 커버하는 제1 더미 전하 저장 구조물을 포함하는 분리 패턴을 구비할 수 있으며, 상기 제1 더미 채널은 상기 각 채널들과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제1 더미 전하 저장 구조물은 상기 전하 저장 구조물과 동일한 물질을 포함할 수 있다.