금속 갭필을 형성하기 위한 방법

본 개시내용은 일반적으로 기판들의 프로세싱을 위한 방법들에 관한 것이고, 더 상세하게는 금속 갭필을 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일 구현에서, 방법은, 다단계 프로세스를 사용하여 개구에 금속 갭필을 형성하는 단계를 포함한다. 다단계 프로세스는 금속 갭필의 제1 부분을 형성하는 것, 하나 이상의 측벽들 상에 하나 이상의 층들을 형성하기 위해 스퍼터 프로세스를 수행하는 것, 및 금속 갭필로 개구를 충전하기 위해 금속 갭필의 제2 부분을 성장시키는 것을 포함한다. 다단계 프로세스에 의해 형성된 금속 갭필은 심리스(seamless...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	JIAN GUOQIANG, CHANG MEI, LEI YU, BANTHIA VIKASH, ZHOU JING, YAO YAKUAN, CEN XI, DAITO KAZUYA, LAI YIMING, REN HE, WU KAI, WANG JENN YUE, HUNG RAYMOND HOIMAN, OR DAVID T, LIN CHI CHOU, XU YI, YE JIA, MA FEIYUE, GELATOS AVGERINOS V
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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