금속 갭필을 형성하기 위한 방법

본 개시내용은 일반적으로 기판들의 프로세싱을 위한 방법들에 관한 것이고, 더 상세하게는 금속 갭필을 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일 구현에서, 방법은, 다단계 프로세스를 사용하여 개구에 금속 갭필을 형성하는 단계를 포함한다. 다단계 프로세스는 금속 갭필의 제1 부분을 형성하는 것, 하나 이상의 측벽들 상에 하나 이상의 층들을 형성하기 위해 스퍼터 프로세스를 수행하는 것, 및 금속 갭필로 개구를 충전하기 위해 금속 갭필의 제2 부분을 성장시키는 것을 포함한다. 다단계 프로세스에 의해 형성된 금속 갭필은 심리스(seamless)이고, 하나 이상의 측벽들 상에 형성된 하나 이상의 층들은 금속 갭필과 측벽들 사이의 임의의 갭들 또는 결함들을 밀봉한다. 그 결과, 후속 프로세스들에서 활용되는 유체들이 금속 갭필을 통해 확산되지 않는다. The present disclosure generally relates to methods for processing of substrates, and more particularly relates to methods for forming a metal gapfill. In one implementation, the method includes forming a metal gapfill in an opening using a multi-step process. The multi-step process includes forming a first portion of the metal gapfill, performing a sputter process to form one or more layers on one or more side walls, and growing a second portion of the metal gapfill to fill the opening with the metal gapfill. The metal gapfill formed by the multi-step process is seamless, and the one or more layers formed on the one or more side walls seal any gaps or defects between the metal gapfill and the side walls. As a result, fluids utilized in subsequent processes do not diffuse through the metal gapfill.