MEMORY DEVICE FOR DETECT AND REFAIR BAD WORDLINE BY ITSELF AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

The present invention relates to a memory device capable of detecting and repairing defective word lines autonomously, which prevents repair operations from being performed too frequently, and a memory system including the same. According to the present invention, the memory device comprises: a cell array including a plurality of first word lines including a plurality of first memory cells, respectively, and a plurality of second word lines including a plurality of second memory cells, respectively; a fuse array for replacing a selected word line among the plurality of first word lines with the plurality of second word lines; a failure determination unit determining a word line satisfying a first condition as a defective word line during an access operation for the plurality of first word lines and determining a defective grade for the defective word line according to a second condition; an information storage unit for storing a physical address, the defective grade, and the number of accesses for the defective word line as determination information for the defective word line; and a rupture operation unit for analyzing the determination information stored in the information storage unit, selecting a selected word line among the defective word lines according to an analysis result, and performing a rupture operation to rupture the physical address of the selected word line to the fuse array. 본 기술은 불량 워드라인을 스스로 검출하고 리페어할 수 있는 메모리 장치 및 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템에 관한 것으로서, 다수의 제1메모리 셀을 각각 포함하는 다수의 제1워드라인, 및 다수의 제2메모리 셀을 각각 포함하는 다수의 제2워드라인을 포함하는 셀 어레이와, 다수의 제1워드라인 중 선택 워드라인을 다수의 제2워드라인으로 대체하기 위한 퓨즈 어레이와, 다수의 제1워드라인에 대한 액세스(access) 동작 중 제1조건에 부합하는 워드라인을 불량 워드라인으로 판정하되, 제2조건에 따라 불량 워드라인에 대한 불량등급을 결정하는 불량판정부와, 불량 워드라인에 대한 물리주소와 불량등급 및 액세스 횟수를 불량 워드라인에 대한 판정정보로서 저장하기 위한 정보저장부, 및 정보저장부에 저장된 판정정보를 분석하고, 분석결과에 따라 불량 워드라인 중 선택 워드라인을 선택하며, 선택 워드라인의 물리주소를 퓨즈 어레이에 럽쳐하는 럽쳐동작을 수행하기 위한 럽쳐동작부를 포함한다.