MEMORY CELL PROGRAMMING

The present invention relates to a method of memory cell programming and an apparatus for executing the same. The method can comprise: a step of programming a plurality of memory cells in a specific data status of a plurality of data statuses; a step of determining each readout of a programming voltage level considered to be sufficient to program the memory cells with each target threshold voltage corresponding to each target data status on each memory cell with a higher target data status than the specific data status among the plurality of memory cells; and a step of additionally programming the memory cell by using the programming voltage level of the plurality of programming voltage levels corresponding to each readout of the programming voltage level considered to be sufficient to program the memory cell with each target threshold voltage corresponding to each target data status. The present invention aims to provide a method of memory cell programming, which is capable of charging a word line before each programming pulse. 방법, 및 유사한 방법을 수행하도록 구성된 장치는 복수의 메모리 셀을 복수의 데이터 상태의 특정 데이터 상태로 프로그래밍하는 단계, 및 상기 복수의 메모리 셀 중에서 타깃 데이터 상태가 상기 특정 데이터 상태보다 높은 각 메모리 셀에 대해, 상기 메모리 셀을 각 타깃 데이터 상태에 대응하는 각 타깃 임계 전압으로 프로그래밍하기에 충분한 것으로 고려되는 프로그래밍 전압 레벨의 각 지시값을 결정하는 단계, 및 상기 메모리 셀을 각 타깃 데이터 상태에 대응하는 각 타깃 임계 전압으로 프로그래밍하기에 충분한 것으로 고려되는 프로그래밍 전압 레벨의 각 지시값에 대응하는 복수의 프로그래밍 전압 레벨의 프로그래밍 전압 레벨을 사용하여 상기 메모리 셀을 더 프로그래밍하는 단계를 포함할 수 있다.