3D 3D TRENCH CAPACITOR FOR INTEGRATED PASSIVE DEVICES

In accordance with various embodiments of the present disclosure, the present invention relates to a three-dimensional (3D) trench capacitor and a method for forming the same. In accordance with some embodiments of the present invention, a first substrate is placed on a second substrate to allow a front surface of the first substrate to face that of the second substrate. First and second trench capacitors, respectively, extend into the front surfaces of the first and second substrates. A plurality of wires and a plurality of vias are stacked between the first and second trench capacitors, and are electrically coupled thereto. A first through-substrate via (TSV) extends through the first substrate from the rear surface of the first substrate, and the wires and the vias electrically couple the first TSV to the first and second trench capacitors. Also, the first and second trench capacitors and the electrical coupling thereof collectively define a 3D trench capacitor. 본 개시의 다양한 실시예들은 3차원(3D) 트렌치 커패시터뿐만 아니라 이를 형성하는 방법에 관한 것이다. 일부 실시예들에서, 제1 기판은 제2 기판 위에 놓여, 제1 기판의 전면이 제2 기판의 전면과 마주본다. 제1 트렌치 커패시터 및 제2 트렌치 커패시터는 각각 제1 및 제2 기판의 전면들 내로 연장된다. 복수의 와이어들 및 복수의 비아들이 제1 및 제2 트렌치 커패시터 사이에 적층되고 이들에 전기적으로 결합된다. 제1 기판 관통 비아(TSV)는 제1 기판의 후면으로부터 제1 기판을 관통하여 연장되고, 와이어들 및 비아들은 제1 TSV를 제1 및 제2 트렌치 커패시터에 전기적으로 결합시킨다. 제1 및 제2 트렌치 커패시터와 이들 사이의 전기적 결합은 집합적으로 3D 트렌치 커패시터를 정의한다.