SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

A semiconductor package includes a package substrate, at least two semiconductor chips, signal bumps, first heat dissipation bumps, and second heat dissipation bumps. The semiconductor chips are stacked on a top surface of the package substrate. Each of the semiconductor chips includes a first region having a first temperature and a second region having a second temperature that is higher than the first temperature. The signal bumps are disposed between the semiconductor chips. The first heat dissipation bumps are arranged between the semiconductor chips within the first region at a first pitch. The second heat dissipation bumps are arranged between the semiconductor chips within the second region at a second pitch that is narrower than the first pitch. Therefore, high temperatures generated in high-temperature regions of the stacked semiconductor chips are effectively discharged through the second heat dissipation bumps that are relatively densely arranged. 반도체 패키지는 패키지 기판, 적어도 2개의 반도체 칩들, 신호 범프들, 제 1 방열 범프들 및 제 2 방열 범프들을 포함할 수 있다. 상기 반도체 칩들은 상기 패키지 기판의 상부면에 적층될 수 있다. 상기 반도체 칩들은 제 1 온도를 갖는 제 1 영역과 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도를 갖는 제 2 영역을 포함할 수 있다. 상기 신호 범프들은 상기 반도체 칩들 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 방열 범프들은 상기 제 1 영역 내의 상기 반도체 칩들 사이에 제 1 피치를 두고 배열될 수 있다. 상기 제 2 방열 범프들은 상기 제 2 영역 내의 상기 반도체 칩들 사이에 상기 제 1 피치보다 좁은 제 2 피치를 두고 배열될 수 있다. 따라서, 적층된 반도체 칩들의 고온 영역에서 발생된 고온이 상대적으로 조밀하게 배열된 제 2 방열 범프들을 통해서 효과적으로 방출될 수 있다.