가고정용 수지 조성물, 가고정용 수지 필름 및 가고정용 시트 및 반도체 장치의 제조 방법

본 발명에 관한 가고정용 수지 조성물은, 가고정재를 통하여 지지체에 반도체 웨이퍼를 가고정하는 가고정 공정과, 지지체에 가고정된 반도체 웨이퍼를 가공하는 가공 공정과, 가공 후의 반도체 웨이퍼를 가고정재로부터 분리하는 분리 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 가고정재를 형성하기 위한 것이며, (A) 열가소성 수지와, (B) 열경화성 수지와, (C) 실리콘 화합물을 포함하고, 120℃에서의 전단 점도가 4000Pa·s 이하이며 또한 25℃의 분위기하에 7일 방치한 후의 전단 점도의 변화율이 30% 이내이다. A re...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	YAMAGUCHI YUSHI, SOBUE SHOGO, OOYAMA YASUYUKI
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE ADHESIVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL PAINTS POLISHES SEMICONDUCTOR DEVICES USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명에 관한 가고정용 수지 조성물은, 가고정재를 통하여 지지체에 반도체 웨이퍼를 가고정하는 가고정 공정과, 지지체에 가고정된 반도체 웨이퍼를 가공하는 가공 공정과, 가공 후의 반도체 웨이퍼를 가고정재로부터 분리하는 분리 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 가고정재를 형성하기 위한 것이며, (A) 열가소성 수지와, (B) 열경화성 수지와, (C) 실리콘 화합물을 포함하고, 120℃에서의 전단 점도가 4000Pa·s 이하이며 또한 25℃의 분위기하에 7일 방치한 후의 전단 점도의 변화율이 30% 이내이다. A resin composition for temporary fixing, the resin composition containing (A) a thermoplastic resin, (B) a thermosetting resin, and (C) a silicone compound, the resin composition having a shear viscosity of 4000 Pa·s or less at 120° C. and a rate of change in the shear viscosity being within 30% as determined before and after the resin composition is left to stand for 7 days in an atmosphere of 25° C.