SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device includes lower electrodes on a substrate spaced apart from each other in a first direction parallel to the upper surface of the substrate, upper support patterns on upper side surfaces of the lower electrodes, and lower support patterns on the lower side surfaces of the lower electrodes. The lower support pattern is disposed between the substrate and the upper support pattern. At least one of the lower electrodes includes a first recess adjacent to the lower surface of the lower support pattern. An objective of the present invention is to provide the semiconductor device having the improved electrical properties and a manufacturing method thereof. 반도체 소자는 기판 상에 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 서로 이격되는 하부 전극들, 상기 하부 전극들의 상부 측면들 상의 상부 지지 패턴, 및 상기 하부 전극들의 하부 측면들 상의 하부 지지 패턴을 포함한다. 상기 하부 지지 패턴은 상기 기판과 상기 상부 지지 패턴 사이에 배치된다. 상기 하부 전극들 중 적어도 하나의 하부 전극은, 상기 하부 지지 패턴의 하면에 인접한 제1 리세스를 포함한다.